semiconductor complementari

La tecnologia estàndard actual d’integració en xips de silici és de 300 nm (dimensió de l’element més petit enregistrable) i la tecnologia punta és de 130 nm (Motorola), i les previsions són que aquest mateix any ja es comencin a fer xips amb tecnologia de 90 nm i que el 2005 s’assoleixin els 65 nm, sempre amb tecnologia CMOS (semiconductor complementari d’òxid metàl·lic).